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(1)晶界偏析层 一般,将在晶界由偏析的杂质离子所形成的层称为晶界偏析层。晶界偏析层厚度由20埃至1微米。在晶界,因为形成远远超过一般固溶界限的固溶,所以,可以发现与结晶内部晶相明显不同的物质。
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(2)层状析出物 在含有杂质特别多而超过固溶界限时,杂质作为另外的结晶相在晶界析出。这种析出物有层状和粒状之分。层状析出物通常由液相烧结所造成。晶界析出物的熔点比陶瓷的烧结温度低时,产生液相烧结。在液相的浸润性良好时,完全浸透微晶晶界,各个微晶被液相包围,形成层状偏析层。ZnO非线性电阻是熟知的实例。
(3)粒状析出物 杂质的量超过结晶固溶量,其熔点比烧结温度高时,杂质呈粒状在晶界析出。MgO作为添加剂可用于透明氧化铝陶瓷,但如添加量较多,则会在晶界析出MgAl2O4,从而降低透光性。
晶界独具的物理、化学现象是:(1)晶界扩散;(2)控制晶界引起的生成反应;(3)晶界电势;(4)晶界高电阻层;(5)由晶界形成结合,等。图2所示是晶界的物理化学现象及其应用实例。
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